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本发明提供一种集成高、低压器件的功率集成半导体器件结构，主要包括集成于同一P型衬底上的高压LDMOS器件、高压JFET器件、高压隔离环、高压电阻、中压二极管、低压对称型PMOS管、低压对称型NMOS管、低压NPN管，低压非对称型NMOS管以...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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