温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种屏蔽栅型MOSFET器件及其制作方法、电子产品，涉及电学技术领域，以提高屏蔽栅MOSFET的开关速度，降低开关损耗，从而扩展屏蔽栅MOSFET的应用范围。该屏蔽栅型MOSFET器件包括肖特基二极管和屏蔽栅MOSFET。肖特基二...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。