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本发明的目的在于提供一种电容性半导体元件。电容性半导体元件(1)包括硅衬底(Sub)和层叠在硅衬底(Sub)的表面上的配线区域(LA)，其中，配线区域(LA)具有电容性区域(CR)；硅衬底(Sub)包括：阱区域(P型阱)；STI区域，其形成...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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