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本发明提供一种沟槽隔离结构的制作方法以及一种半导体器件。所述制作方法对于基片上较窄的一类沟槽和较宽的二类沟槽，先用牺牲层覆盖在预处理基片的上表面以及一类沟槽上并露出二类沟槽，在形成第一填充介质并进行第一平坦化工艺时，利用牺牲层作为终止层去掉...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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