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本发明提供了一种多晶圆堆叠修边方法，对第i片晶圆切边、与第i‑1片晶圆键合减薄后，对堆叠的i片晶圆的边缘区域修边形成边缘良好的晶圆堆叠；之后填充底部填充层；底部填充层的存在使邻近的后续晶圆与堆叠的i片晶圆键合减薄后边缘产生的缺陷往外移，使邻...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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