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本发明涉及SiC单晶生长用坩埚和使用了该SiC单晶生长用坩埚的SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置。本发明的SiC单晶生长用坩埚具备容纳SiC原料的原料容纳部和支承在所述原料容纳部的上方配置的晶种的晶种支承部，所述原料容纳部具有内面朝向...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

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