【技术实现步骤摘要】
SiC单晶生长用坩埚、SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置本申请基于2019年1月10日向日本提出申请的日本特愿2019-002576号主张优先权，将其内容援引于此。
本专利技术涉及SiC单晶生长用坩埚和使用了该SiC单晶生长用坩埚的SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置。
技术介绍
碳化硅(SiC)与硅(Si)相比，绝缘击穿电场大一个数量级，带隙为3倍大。另外，SiC具有与Si相比热导率为3倍左右高等特性。因而，期待将SiC应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。作为制造SiC单晶的方法之一，升华法是为人熟知的。升华法是如下方法：在筒状的坩埚内将SiC原料加热至高温而产生升华气体，使该升华气体在由相对低温的SiC单晶构成的晶种上再结晶化而使SiC单晶生长。在使用了该升华法的SiC单晶的制造中，要求SiC单晶的大口径和/或长尺寸生长，要求坩埚的尺寸的大型化。在升华法中，一般从外部对坩埚进行加热。因而，坩埚的内部存在具有壁侧为高温且中央部成为低温的温度分布的倾向。在具有这样的温度分布的坩埚的内部...
【技术保护点】
1.一种SiC单晶生长用坩埚，具备：/n原料容纳部，用于容纳SiC原料；及/n晶种支承部，支承在所述原料容纳部的上方配置的晶种，/n所述原料容纳部具有内面朝向下方逐渐变细的缩窄部。/n
【技术特征摘要】
20190110 JP 2019-0025761.一种SiC单晶生长用坩埚，具备：
原料容纳部，用于容纳SiC原料；及
晶种支承部，支承在所述原料容纳部的上方配置的晶种，
所述原料容纳部具有内面朝向下方逐渐变细的缩窄部。
2.根据权利要求1所述的SiC单晶生长用坩埚，
所述原料容纳部的所述缩窄部连续地逐渐变细。
3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶生长用坩埚，
所述原料容纳部的所述缩窄部呈直线状地逐渐变细。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC单晶生长用坩埚，
所述原料...
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