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提供一种半导体装置的制造方法，通过多个沟槽部、在2个沟槽部之间以第1深度和第1注入量注入第2导电型的掺杂剂而形成的第2导电型的接触区、以及在2个沟槽部之间与接触区在延伸方向上并排地配置的第1导电型的发射区，形成延伸方向上的长度为相邻的2个沟...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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