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本发明涉及一种钝化接触太阳电池制备方法，包括：(1)、对制绒后的基体双面硼扩散，形成双面p+掺杂发射极；(2)、去除基体背面的p+掺杂发射极，并抛光；(3)、在基体的双面均沉积隧穿氧化层和多晶硅层(4)、在基体的背面注入磷元素；(5)、对基...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。

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