一种钝化接触太阳电池制备方法技术

本发明专利技术涉及一种钝化接触太阳电池制备方法，包括：(1)、对制绒后的基体双面硼扩散，形成双面p+掺杂发射极；(2)、去除基体背面的p+掺杂发射极，并抛光；(3)、在基体的双面均沉积隧穿氧化层和多晶硅层(4)、在基体的背面注入磷元素；(5)、对基体进行高温退火，使多晶硅层完成晶化，并在基体的正面形成p+poly，在背面形成n+poly，同时在正面形成含硼氧化层，在背面形成含磷氧化层；(6)、在基体的背面沉积减反膜层；(7)、在基体的正面制备局域掩膜，以在正面形成耐酸浆料层未覆盖的第一区域和耐酸浆料层覆盖的第二区域；(8)、在基体的正面形成局域p+poly；(9)、在基体的正面形成叠层钝化减反膜；(10)在基体的双面均制备电极。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触太阳电池制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种钝化接触太阳电池制备方法。
技术介绍
在晶体硅太阳电池中，金属—半导体接触成为制约晶体硅太阳电池效率发展的重要因素，良好的金属—半导体接触需要具备两方面条件：1)低界面复合；2)低接触电阻率。目前已有的商业化晶体硅太阳电池中，如p型常规铝背场电池或p型PERC电池，在保证接触电阻率较低的情况下，金属接触区域的金属复合为800～1000fA/cm2；对于具有广泛市场前景的n型电池，在同样保证接触电阻较低的情况下，p+发射极与金属接触区域的金属复合为1000～2000fA/cm2。研究发现，隧穿氧化层钝化接触结构同时具备低接触电阻率和低金属接触复合条件，此结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂的多晶硅层组成。2017年，德国Fraunhofer太阳能系统研究所的Feldmann等将基于隧穿氧化层钝化金属接触结构的太阳电池的转换效率提升至25.8％；次年，德国ISFH太阳能研究所将隧穿氧化层钝化金属接触结构引入IBC电池，取得26.1％的转换效率。目前，国内已经有一些厂商将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化接触太阳电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、对制绒后的基体进行双面硼扩散处理，形成正面和背面p+掺杂发射极；/n(2)、去除基体背面的p+掺杂发射极，并抛光处理；/n(3)、在基体的正面和背面均沉积隧穿氧化层和多晶硅层；/n(4)、在基体的背面注入磷元素；/n(5)、对基体进行高温退火处理，使基体正面和背面的多晶硅层均完成晶化，并在基体的正面形成p+poly，在基体的背面形成n+poly，同时在基体的正面形成含硼氧化层，在基体的背面形成含磷氧化层；/n(6)、在基体的背面沉积减反膜层；/n(7)、在基体的正面制备局域掩膜，以在基体正面形成耐酸浆料层未覆盖的第一区域和...

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触太阳电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、对制绒后的基体进行双面硼扩散处理，形成正面和背面p+掺杂发射极；
(2)、去除基体背面的p+掺杂发射极，并抛光处理；
(3)、在基体的正面和背面均沉积隧穿氧化层和多晶硅层；
(4)、在基体的背面注入磷元素；
(5)、对基体进行高温退火处理，使基体正面和背面的多晶硅层均完成晶化，并在基体的正面形成p+poly，在基体的背面形成n+poly，同时在基体的正面形成含硼氧化层，在基体的背面形成含磷氧化层；
(6)、在基体的背面沉积减反膜层；
(7)、在基体的正面制备局域掩膜，以在基体正面形成耐酸浆料层未覆盖的第一区域和耐酸浆料层覆盖的第二区域；
(8)、在基体的正面形成局域p+poly；
(9)、在基体的正面形成叠层钝化减反膜；
(10)在基体的正面和背面均制备电极。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(8)包括：
(8.1)、用氢氟酸清洗基体的正面和背面，以去除基体正面第一区域的含硼氧化层；
(8.2)、用氨水清洗基体的正面和背面，以去除基体正面第一区域的p+poly和第二区域的耐酸浆料层；
(8.3)、用氢氟酸清洗基体的正面和背面，以去除基体正面第二区域的含硼氧化层和隧穿氧化层；形成局域p+poly。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
在步骤(8.1)中，用体积比浓度为8％-12％的氢氟酸清洗基体的正面和背面，以去除基体正面第一区域的含硼氧化层；
在步骤(8.2)中，用体积比浓度为5％-15％的氨水清洗基体的正面和背面，以去除基体正面第一区域的p+poly和第二区域的耐酸浆料层；
在步骤(8.3)中，用体积比浓度为8％-12％的氢氟...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉，陈程，马丽敏，包杰，吴伟梁，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32