温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体功率器件结构及其制造方法，包括第一导电类型的衬底及位于衬底上的第一导电类型的外延层，外延层内设置有沟槽，沟槽中填充有栅极多晶硅和浮栅多晶硅，栅极多晶硅与沟槽的侧壁隔离有隔离氧化层，栅极多晶硅与浮栅多晶硅之间隔离有阻挡氧...
该专利属于捷捷微电(上海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷微电(上海)科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。