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本发明公开了一种MOS结构沟槽二极管器件及其制造方法，包括从下至上依次设置的硅衬底、外延层，外延层上开设有依次排布原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽；原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽内侧壁依次设有二氧化硅外层以及多晶硅填充...
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