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一种屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决现有屏蔽栅沟槽型场效应管器件制备方法繁琐且成本较大的问题，本发明提供一种如下的技术方案：位于外延层中的一个以上相互平行的系列沟槽，该系列沟槽由相互连接的第一类沟槽和/...
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