温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种电子器件。所述电子器件可包括高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括掩埋区，覆盖在所述掩埋区上面的沟道层，栅极电极，以及覆盖在所述掩埋区上面的漏极电极。所述掩埋区可朝向所述栅极电极延伸并且不在所述栅极电极下面。在特定方...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。