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提供一种薄膜晶体管，其包括源极、漏极，以及连接所述源极和所述漏极的沟道层。所述沟道层包括由SnMO表示的锡基氧化物，其中M包括非金属硫族元素或卤族元素中的至少一种。...
该专利属于汉阳大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过汉阳大学校产学协力团授权不得商用。

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