薄膜晶体管及其制造方法技术

提供一种薄膜晶体管，其包括源极、漏极，以及连接所述源极和所述漏极的沟道层。所述沟道层包括由SnMO表示的锡基氧化物，其中M包括非金属硫族元素或卤族元素中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法相关申请的交叉引用本专利申请要求于2019年1月7日提交的韩国专利申请第10-2019-0001522号的优先权，其全部内容在此通过引用并入。
本公开涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，尤其涉及一种使用P型氧化物半导体薄膜作为沟道层的薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
最近，将薄膜晶体管与逻辑电路集成到透明玻璃、塑料衬底或半导体衬底上的技术已经得到研究。为了将薄膜晶体管制成互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxidesemiconductor，CMOS)型，需要载流子为空穴的P型氧化物薄膜晶体管，连同载流子为电子的N型氧化物薄膜晶体管。N型氧化物薄膜晶体管可以使用N型氧化物半导体作为沟道层，例如，可以使用具有优异的电学和光学特性的非晶氧化铟镓锌(indium-gallium-zincoxide，IGZO)等作为N型氧化物薄膜晶体管的沟道层。用作P型氧化物薄膜晶体管的沟道层的P型氧化物半导体可以具有较大的空穴有效质量和较差的载流子传输特性，从而可以限制P型氧化物薄膜晶体管的性能。因此，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括：/n源极；/n漏极；以及/n连接所述源极和所述漏极的沟道层，/n其中，所述沟道层包括由SnMO表示的锡基氧化物，/n其中M包括非金属硫族元素或卤族元素中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
20190107 KR 10-2019-00015221.一种薄膜晶体管，包括：
源极；
漏极；以及
连接所述源极和所述漏极的沟道层，
其中，所述沟道层包括由SnMO表示的锡基氧化物，
其中M包括非金属硫族元素或卤族元素中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，M包括硒(Se)、硫(S)、氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)或碘(I)中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，
其中，所述沟道层包括由SnMxO1-x表示的锡基氧化物，
其中x大于0.2且小于0.8。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，
其中，所述沟道层包括由SnMxO1-x表示的锡基氧化物，
其中x大于0.4且小于0.7。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述锡基氧化物包括非晶相。


6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道层还包括用于调节所述锡基氧化物的带隙能量的金属元素。


7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述金属元素包括镧(La)、钙(Ca)、锶(Sr)、钇(Y)、钽(Ta)、铪(Hf)、钛(Ti)、钡(Ba)或锆(Zr)中的至少一种。


8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道层还包括P型杂质。


9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述P型杂质包括氮(N)、磷(P)或砷(As)中的至少一种。


10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：
栅极；以及
在所述沟道层和所述栅极之间的栅极介电层。


11.一种薄膜晶体管，包括：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑在景，金兑圭，柳培根，
申请(专利权)人：汉阳大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR