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公开了可变电阻存储器装置及其制造方法。所述可变电阻存储器装置可以包括：多个存储器单元，均包括可变电阻图案和开关图案；多条导线，存储器单元连接到所述多条导线；底电极，将导线中的至少一条连接到可变电阻图案；以及间隔件图案，形成在底电极上以与可变...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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