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本发明提供的三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有牺牲层、以及位于所述牺牲层表面的堆叠层，沟道孔贯穿所述堆叠层和所述牺牲层并延伸至所述衬底内，所述沟道孔内填充有电荷存储层和沟道层，所述堆叠层中还具有沿垂直于所述衬底的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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