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本发明提供一种三维NAND存储串及其制备方法，该方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括交替层叠的若干层第一介质层及若干层含第一导电类型元素的牺牲层；退火工艺将形成于堆叠结构中的第二导电类型的半导体层部分改性为第一...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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