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本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：生长炉，包括纵向设置的石英管，石英管内形成有用于碳化硅晶体生长的石英腔室，石英管为单层结构；外罩，套设于生长炉外部，外罩的内壁与石英管的外壁之间形成有排风管道，外罩的底端设有进风口，外罩的顶端设有出...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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