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本发明提供一种氧化铪薄膜沉积方法，包括：加热步骤，对晶片进行加热，以去除晶片表面上的杂质；磁控溅射步骤，采用脉冲直流电源并以磁控溅射方法在晶片上沉积形成氧化铪薄膜；冷却步骤，对沉积有氧化铪薄膜的晶片进行冷却。应用本发明，采用脉冲直流电源以磁...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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