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本申请是一种元胞结构及其应用的半导体组件，所述元胞结构包括半导体衬底，其上设置多数个第一与第二槽单元，载流子势垒区与第一电场屏蔽区分别设置于第一与第二槽单元的槽底，并于外围设置第二电场屏蔽区，槽内设置导电材料而对应形成二栅极区。源体区设置于...
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