温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置，属于半导体技术领域。该嵌入式电容结构的制备方法包括：在一衬底的一侧形成中间层；在中间层远离衬底的一侧形成第一支承层；形成电容孔，电容孔贯穿中间层和第一支承层；形成覆盖电容孔的内表面的第一...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。