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量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法技术
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文档序号:24860047
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一种量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法,制备方法包括,在衬底上外延生长GaAs缓冲层;在GaAs缓冲层上交替生长GaAs层和AlGaAs层而形成GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜;在GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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