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存储器的阵列共源极及其形成方法技术
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文档序号:24859699
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一种存储器的阵列共源极及其形成方法,所述形成方法本发明的存储器的阵列共源极的形成方法,由于栅极隔槽中形成的阵列共源极包括第一部分和位于第一部分两侧的第二部分,且所述第一部分的宽度大于第二部分的宽度,当后续在堆叠结构和阵列共源极上的介质层中形...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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