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本发明公开了一种双向硅控整流器及其制备方法，实际上是将原先单向无回滞效应硅控整流器阴极的结构全部去除，然后将两个原先单向无回滞效应硅控整流器阳极的结构用P阱左右对称地连接起来，本发明所提出的双向硅控整流器为双向器件，能同时适用于正负高压IO...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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