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本发明涉及一种鳍式场效晶体管应力工程优化方法和鳍式场效晶体管的制作方法，涉及半导体制造技术，在鳍式场效晶体管的后栅工艺中，通过离子注入工艺形成包括非晶硅和多晶硅的双层结构的伪栅极结构，非晶硅构成鳍结构的侧墙，由非晶硅构成的侧墙退火体积膨胀产...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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