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本发明公开一种低温相锰铋薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法共溅射沉积锰铋，然后将所得薄膜进行后期退火处理，保温完成后采用快速降温过程，得到低温相锰铋薄膜。本发明还公开使用这种制备方法制得的低温相锰铋薄膜。本发明通过降温速率的增加，使得过冷度增...
该专利属于山西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过山西师范大学授权不得商用。

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