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一种垂直沟道可调谐高通量声流控分选芯片及其制备方法技术
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下载一种垂直沟道可调谐高通量声流控分选芯片及其制备方法的技术资料
文档序号:24832223
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本发明公开了一种垂直沟道可调谐高通量声流控分选芯片及其制备方法。其器件由带有驻波谐振腔的玻璃片、压电陶瓷片及PDMS(聚二甲基硅氧烷)薄膜组成。驻波谐振腔是由玻璃底片、玻璃垫片I、玻璃隔片I、玻璃垫片II、PDMS薄膜和玻璃顶片从下到上依次...
该专利属于武汉大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉大学授权不得商用。
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