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本发明提出了一种通过抗坏血酸部分还原硫化铋制造硫空位的方法，还原后的硫化铋纳米线宽度在50‑300纳米，长度在100‑200微米。该材料可以作为电催化二氧化碳还原的活性材料，利用硫空位对二氧化碳还原活性中间体的特异性吸附，表现出优异的甲酸产...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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