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本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路的器件晶圆中形成下空腔,并将压电谐振片形成在器件晶圆上,以及利用半导体平面工艺形成封盖层以将压电谐振片封盖在上空腔中构成晶体谐振器,此外还将半导体芯片进一步键合...该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司授权不得商用。
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本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路的器件晶圆中形成下空腔,并将压电谐振片形成在器件晶圆上,以及利用半导体平面工艺形成封盖层以将压电谐振片封盖在上空腔中构成晶体谐振器,此外还将半导体芯片进一步键合...