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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。用于制造半导体器件的方法包括形成上部结构，其中底电极、电介质层、顶电极和等离子体保护层依次层叠在下部结构上，将所述上部结构暴露于等离子体处理，并且将被等离子体处理的所述上部结构和所述下部结构暴露于氢钝化...
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