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本发明涉及一种背照式BIB红外探测器用硅外延片的制造方法，选择N型<100>掺PH抛光片，电阻率＞10000Ω.cm，不背封衬底，减少衬底自掺杂影响。通过HCL原位高温抛光，以去除表面杂质和缺陷，改善衬底表面质量。通过大流量高温...
该专利属于南京国盛电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京国盛电子有限公司授权不得商用。

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