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本发明提供能够有效且尺寸精度良好地形成在与沟槽侧壁分离的部分具有高浓度区的基区的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。p型基区(2)由p...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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