温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

得到能够以小面积而实现高耐压MOS与高耐压隔离区域的电隔离，抑制泄漏电流而提高误动作耐量的半导体装置。高电位侧电路区域(4)、低电位侧电路区域(5)以及进行高电位侧电路区域(4)与低电位侧电路区域(5)之间的信号传输的高耐压MOS(7)设置...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。