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本发明提供了一种包括具有铁电层和非铁电层的电介质结构的半导体器件。根据一个实施例的半导体器件包括：第一电极；电介质结构，其设置在第一电极上并且具有铁电层和非铁电层；以及第二电极，其设置在电介质结构上。铁电层具有正矫顽电场和负矫顽电场，所述正...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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