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本发明公开了沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备。该场效应晶体管包括：第一电极金属层、半导体衬底层以及外延层，多个沟槽位于所述外延层远离所述半导体衬底层一侧的表面上，沟槽中设置有栅绝缘层以及栅极；阱区，所述阱区位于相邻的两个所述沟槽之间...
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