温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高沟道迁移率垂直型UMOSFET器件及其制备方法。所述高沟道迁移率垂直型UMOSFET器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括第一半导体以及依次设置在第一半导体上的第二半导体和第三半导体，所述外...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。