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本发明涉及一种基于埋SiGe的NMOS器件，包括：半导体衬底(101)、Ge外延层(102)、SiGe层(104)、Ge沟道层(104)、源区(105)、漏区(106)、介质层(107)、栅极(108)、源极(109)和漏极(110)；其中...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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