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本发明涉及一种基于埋SiGe的PMOS晶体管，包括：半导体衬底(101)、N型Ge沟道层(102)、栅极(103)、源区(104)、漏区(105)、SiGe层(106)、源极(107)、漏极(108)和保护层(109)；其中，所述N型Ge沟...
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