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本发明公开了一种改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局，该结构包括：衬底；外延结构，制作于该衬底之上；源极，制作于该外延结构之上；漏极，制作于该外延结构之上；以及栅极，制作于该外延结构之上；其中，源极的宽度大于所述漏极的宽度，所述宽度...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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