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本发明涉及一种压应变PMOS器件，包括：Si衬底(101)、Ge外延层(102)、Ge沟道层(103)、栅极(104)、SiGe层(105)、源区(106)、漏区(107)、源极(108)、漏极(109)和介质层(110)；其中，所述Ge外...该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种压应变PMOS器件，包括：Si衬底(101)、Ge外延层(102)、Ge沟道层(103)、栅极(104)、SiGe层(105)、源区(106)、漏区(107)、源极(108)、漏极(109)和介质层(110)；其中，所述Ge外...