一种压应变PMOS器件制造技术

本发明专利技术涉及一种压应变PMOS器件，包括：Si衬底(101)、Ge外延层(102)、Ge沟道层(103)、栅极(104)、SiGe层(105)、源区(106)、漏区(107)、源极(108)、漏极(109)和介质层(110)；其中，所述Ge外延层(102)和所述Ge沟道层(103)依次设置于所述Si衬底(101)上；所述栅极(104)设置于所述Ge沟道层(103)表面中间位置处；所述SiGe层(105)设置于所述Ge沟道层(103)表面且位于所述栅极(104)外侧。本发明专利技术提供的压应变PMOS器件其载流子迁移率显著高于传统PMOS器件载流子迁移率，器件工作速度高、频率特性好。

【技术实现步骤摘要】
一种压应变PMOS器件
本专利技术属半导体集成电路
，特别涉及一种压应变PMOS器件。
技术介绍
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底、P型沟道，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，PMOS及其构成的CMOS是集成电路必不可少器件。随着集成电路尺寸越来越小，器件的尺寸越来越接近其物理极限。因此，在这种情况下，必须研究新材料，新器件。从而提高器件的工作速度。而器件的工作速度取决于其驱动电流，在相同电压下要使得驱动电流增加，就要增加载流子的迁移速度，从而提高器件的性能。因此，必须采取一种新的沟道材料作为PMOS器件沟道，提升其迁移率，从而提升集成电路的速度，减小电路面积。
技术实现思路
为了提高PMOS器件的性能，本专利技术提供了一种压应变PMOS器件；本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术的实施例提供了一种压应变PMOS器件，包括：Si衬底101、Ge外延层102、Ge沟道层103、栅极104、SiGe层105、源区106、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压应变PMOS器件，其特征在于，包括：Si衬底(101)、Ge外延层(102)、Ge沟道层(103)、栅极(104)、SiGe层(105)、源区(106)、漏区(107)、源极(108)、漏极(109)和介质层(110)；其中，/n所述Ge外延层(102)和所述Ge沟道层(103)依次设置于所述Si衬底(101)上；所述栅极(104)设置于所述Ge沟道层(103)表面中间位置处；所述SiGe层(105)设置于所述Ge沟道层(103)表面且位于所述栅极(104)外侧；所述源区(106)和所述漏区(107)分别设置于所述SiGe层(105)外侧的所述Ge沟道层(103)内；所述源极(108...

【技术特征摘要】
1.一种压应变PMOS器件，其特征在于，包括：Si衬底(101)、Ge外延层(102)、Ge沟道层(103)、栅极(104)、SiGe层(105)、源区(106)、漏区(107)、源极(108)、漏极(109)和介质层(110)；其中，
所述Ge外延层(102)和所述Ge沟道层(103)依次设置于所述Si衬底(101)上；所述栅极(104)设置于所述Ge沟道层(103)表面中间位置处；所述SiGe层(105)设置于所述Ge沟道层(103)表面且位于所述栅极(104)外侧；所述源区(106)和所述漏区(107)分别设置于所述SiGe层(105)外侧的所述Ge沟道层(103)内；所述源极(108)设置于所述源区(106)上；所述漏极(109)设置于和所述漏区(107)上；所述介质层(110)设置于所述Ge沟道层(103)、所述SiGe层(105)、所述源区(106)、所述漏区(107)和所述栅极(104)上。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘奕晨，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61