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本申请提供了一种半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法，其中，半导体芯片包括基底，基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于第一侧面的半导体芯片的源极；设置在基底上的通孔，通孔的设置位置与源极的位置对应，通孔从第二侧面贯穿至第一侧面；基于第二侧面...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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