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一种元素提纯、化合及半导体晶体生长例如为在高温下熔化硅等的分子束外延（ＭＢＥ）工艺中使用的单一体多组件坩埚。该坩埚具有固定连接构成坩埚的多个组件的外涂层。本发明还提供了一种制造包括具有负拉伸结构的含热解氮化硼的单一体的方法，该方法不需要石墨...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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