多组件陶瓷坩埚及其制造方法技术

一种元素提纯、化合及半导体晶体生长例如为在高温下熔化硅等的分子束外延（ＭＢＥ）工艺中使用的单一体多组件坩埚。该坩埚具有固定连接构成坩埚的多个组件的外涂层。本发明专利技术还提供了一种制造包括具有负拉伸结构的含热解氮化硼的单一体的方法，该方法不需要石墨型芯复杂的突出结构或通过在高温下烧结而除去石墨型芯。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于元素提纯、化合及半导体晶体生长的坩埚，例如分子束外延(MBE)泻流室或源容器，尤其是包括构成单一体的多组件的坩埚。本专利技术还提供了制造这种坩埚的方法和设备。
技术介绍
陶瓷材料例如热解氮化硼(pBN)的结构、物理性质、纯度和化学惰性使其成为对元素提纯、化合以及半导体晶体生长有吸引力的容器材料。取决于用途及所需坩埚容量，坩埚可具有如美国专利No.5,158,750中公开的直壁圆柱形构形；如美国专利No.5,759,646中公开的直的但为锥形壁的构形；如美国专利No.4,946,542中公开的在其直壁上有阶跃或缩进部分；或如美国专利No.5,932,294中公开的用于MBE泻流室的在底部和圆锥形顶部之间具有细颈的单组件坩埚的负拉伸坩埚。PBN坩埚是用现有技术中的已知工艺制造的，即，通过首先制备具有所需坩埚形状的型芯；在型芯上沉积氮化硼直至获得所需厚度的氮化硼；并且最后，从型芯上移走氮化硼坩埚。通常用石墨作为型芯材料。对具有直或锥形器壁(比底端大的顶端)的坩埚，由于其热收缩系数，石墨以比pBN高的比率收缩，可以相对容易地脱除石墨型芯而使pBN坩埚从型芯移走。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体材料晶体的坩埚，该坩埚包括：　　　　一封闭端，一开口端，一自开口端沿伸至封闭端的长度；　　　　自开口端沿伸至封闭端长度间的圆周；内表面和外表面；　　　　其中　　　　该坩埚包括至少两个构件，底部构件和顶部构件，在圆周上连在一起形成接头；　　　　该坩埚在至少内表面的一部分或外表面的一部分具有涂层，用于通过密封接头固定连接构件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：Y莫里卡瓦，K卡瓦萨基，SJ黄，M谢普肯斯，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]