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一种改善CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层Zn(O,S)质量的方法，在使用化学水浴沉积法制备缓冲层Zn(O,S)的过程中，在静置的状态下，在浸入到所述沉积液中的CIGS待成品上沉积生长所述缓冲层Zn(O,S)。最优地，静置的同时还将CIGS待成...
该专利属于香港中文大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港中文大学授权不得商用。

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