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本申请揭露一种感光传感器及其制备方法、阵列基板、显示面板，通过离子植入的方式，在同一层多晶硅表面分别形成N型区和P型区，兼容了离子植入的工艺；并在多晶硅上方覆盖一层非晶硅感光层，增强了吸收光能力，可增加光生电子‑空穴对，且水平方向和垂直方向...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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