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本发明公开了一种开关LDMOS器件，在半导体衬底中具有第一阱中，包含有所述开关LDMOS器件的LDD区及第二导电类型的第一体掺杂区；在所述的LDD区中，具有作为源区的第一重掺杂区，在第一体掺杂区中，具有作为漏区的第二重掺杂区；在栅极结构之下...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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