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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括用于形成器件的器件区以及位于器件区两侧的隔离区；图形化所述基底，形成衬底、以及凸出于所述衬底的鳍部；在所述器件区两侧形成凸出于所述隔离区衬底的第一伪鳍部；在所述鳍部和第一伪鳍部...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。